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Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMaC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines - CNRS

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GEMAC > Animations scientifiques > Soutenances thèse

«Croissance et étude de films minces et d'hétérostructures d'oxydes pérovskites réalisés par dépôt laser pulsé» par Mickael Allain

soutenance THESE
Présentée par : Mickael Allain Discipline : Physique - milieux denses et matériaux Laboratoire : GEMAC

Informations pratiques :

Date
Le lundi 17 novembre 2014 à 11h
Lieu
L'Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines
UFR des Sciences - Salle Archimède
45, avenue des Etats-Unis
78035 Versailles cedex

Contact
dredval service FED
Résumé :
Ce travail de thèse porte sur la croissance par PLD et l’étude des propriétés de différents systèmes d’oxydes pérovskites, LaAlO3/SrTiO3, SrVO3/SrTiO3, LaAlO3/SrVO3.
Dans une première partie, la croissance des échantillons LaAlO3/SrTiO3, les caractérisations sont détaillées. Des résultats majeurs ont été obtenus, concernant l’effet des conditions de croissance par PLD sur la stœchiométrie des films minces et les propriétés électroniques de l’interface.
Dans une seconde partie, la croissance de films minces et ultraminces de SrVO3 par PLD et la mise en évidence expérimentale de la TMI sont développées, ainsi que la détermination de son origine et des mécanismes physiques de conduction.
Enfin, la croissance et les caractérisations réalisées sur les hétérostructures LaAlO3/SrVO3 sont présentées. Différents mécanismes de conduction ont ainsi été mis en évidence, corrélés par une analyse chimique, démontrant l’effet de la couche de LaAlO3.

Abstract :
This thesis work has been led to study the growth by PLD and the properties of different perovskite oxide systems including heterostructures of LaAlO3/SrTiO3, SrVO3/SrTiO3 and LaAlO3/SrVO3.
In a first part, LaAlO3/SrTiO3 growth and characterizations – structural, transport and magnetism – is presented. Major results are obtained and demonstrate the effect of growth conditions on LaAlO3 thin films stoichiometry and interface electronic properties.
In the second part, growth of thin and ultrathin SrVO3 films is detailed and an experimental observation of the MIT is brought out. The origin of this MIT is demonstrated and physical mechanisms of conduction are revealed.
Finally, growth and characterizations done on LaAlO3/SrVO3 heterostructures are detailed. Different conduction mechanisms have been brought out which are correlated by chemical analysis and demonstrate the effect of LaAlO3 thin films in this heterostructure.

Membres du jury :

Philippe LECOEUR, Professeur des Universités, à l’Université Paris Sud 11/Institut d’Electronique Fondamentale - Orsay - Rapporteur
Nathalie VIART, Professeur des Universités, à l’Université de Strasbourg/Département de Chimie des Matériaux Inorganiques (DCMI) - Strasbourg - Rapporteur
Niels KELLER, Directeur de Recherche, à l’Université Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines/Laboratoire Groupe d’Etude de la Matière Condensé (GEMAC) - Versailles - Directeur de thèse
Arnaud FOUCHET, Chercheur, à l’Université Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines/Laboratoire Groupe d’Etude de la Matière Condensé (GEMAC) - Versailles - Co-directeur de thèse
Pierre GALTIER, Professeur des Universités, à l’Université Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines/Laboratoire Groupe d’Etude de la Matière Condensé (GEMAC) - Versailles - Examinateur
Maryline GUILLOUX-VIRY, Professeur des Universités, à l’Université de Rennes 1/Institut des Sciences Chimiques de Rennes - UMR CNRS 6226 - Rennes - Examinateur

Dernière mise à jour de cette page : 6 novembre 2014



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