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Groupe d'Etude de la Matière Condensée (GEMaC), Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines - CNRS

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GEMAC > Moyens expérimentaux > Elaboration de matériaux

Metal Organic Chemical Vapor Deposition II-VI

Le GEMaC possède deux bâtis de croissance MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) dédiés à la croissance de structures à base de semi-conducteurs II/VI.

à réacteur horizontal (SAT)


Principales caractéristiques du bâti :
Sources : - Eléments II : Zn, Mg, Cd
- Eléments VI : N2O, O2, t-butanol
- Dopage : Al, Sb, NH3
Gaz vecteur : He, H2, Ar, N2
Pression : 30 torr → P. atmosphérique
Température : chauffage RF → 1000°C
Taille des substrats : jusqu’à 2x2"

Contacts : Corinne Sartel/Vincent Sallet


à réacteur vertical

Principales caractéristiques du bâti :
 Sources : - Eléments II : Zn, Mg
- Eléments VI : t-butanol, N2O, Se
- Dopage : AI
 Gaz vecteur : He, H2, Ar, N2
Pression : pression atmosphérique
Température : chauffage RF → 900°C
Taille des substrats : ~1cm2

Contacts : Gaëlle Amiri/Vincent Sallet

Dernière mise à jour de cette page : 29 novembre 2012


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