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Études de propriétés électroniques de Ga2O3

du 1 septembre 2024 au 31 août 2025

À partir de septembre 2024
GEMaC
Organisme : UVSQ/CNRS
45, avenue des États-Unis
78000 Versailles

Informations générales

Intitulé de l'offre : (H/F) : Etudes de propriétés électroniques de Ga2O3
Référence : UMR8635-LAUTUR-008
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VERSAILLES
Date de publication : mercredi 19 juin 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 septembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 4 291,70 à 4 756,76
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Matière condensée : structures et propriétés électroniques
 

Missions

Le travail du candidat s’inscrira dans le projet national français « Repousser les limites de l'électronique de puissance : l'oxyde de Gallium, le semi-conducteur de puissance de nouvelle génération » (GOTEN). Ce projet compte parmi les Programmes et Equipements de Recherche Prioritaires (PEPR) lancés dans le cadre du plan France 2030. https://www.pepr-electronique.fr/goten/. Le consortium est composé de 7 partenaires tous issus de laboratoires français. L'objectif est de « démontrer une chaîne technologique française pour les composants verticaux à base d'oxyde de gallium (Ga2O3), couvrant l'ensemble de la chaîne de valeur, de la croissance épitaxiale à la gestion thermique et au packaging ».
L'affiliation sera le laboratoire GEMaC et le lieu de travail Versailles.
 

Activités

- Etudes physiques de films minces de Ga2O3 dopés et NiOx :
• Préparation des contacts électriques (Ohmic/Schottky) : Photo-lithographie ; pulvérisation RF de métaux ; recuit thermique rapide
• Caractérisations I-V en fonction de la température
• Effet Hall, mesures de résistivité dans la gamme [2K-850K]
• Photoconductivité ; mesures C-V
• Transmittance/réflexion optique
• Diffraction des rayons X (mesures de base)
- Dépôt de matériaux diélectriques d’oxydes en couche mince par dépôt en phase vapeur (CVD) et par pulvérisation cathodique RF
- Analyse/interprétation des données
- Assister à la gestion de projets : préparation de rapports scientifiques et organisation de réunions.
- Très forte implication dans la communication scientifique : réunions/conférences/publications du consortium
- Formation et partage des connaissances avec les étudiants en doctorat et en master
 

Compétences

- Une expérience de la recherche sur le Ga2O3 (ou un autre oxyde à large bande interdite) est nécessaire.
- Connaissance approfondie de la physique des semi-conducteurs à large bande interdite : propriétés électroniques, identification des défauts ponctuels ;
- Français et anglais : oral et écrit (niveau B2/C1)
- Très bonne capacité de communication (scientifique et avec les membres de l'équipe)
- Expertise dans plusieurs dans :
• Dépôt et caractérisation de contacts électriques ; mesures de transport électrique (I-V ; C-V ; effet Hall)
• Chemical Vapor Deposition (CVD), Pulvérisation RF pour dépôts de couches minces
- expérience/notion de base de management du projet
- Disponibilité pour des déplacements en France et à l'étranger.
- Capacité à respecter les délais et forte volonté de partager les résultats/connaissances.
 

Contexte de travail

Le GEMaC est un laboratoire dépendant de deux tutelles, le CNRS et l'UVSQ (qui s’inscrit plus largement dans le périmètre de l’Université Paris Saclay). Il est situé sur le campus de Versailles. Plusieurs laboratoires académiques français sont impliqués dans le projet, ce qui implique de nombreux déplacements dans les laboratoires partenaires pour des réunions et des expériences.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
 

Contraintes et risques

Le travail prévu sera intense, avec des délais et des tâches multiples. Le laboratoire GEMaC étant une zone à régime restrictif (ZRR) et le projet étant labellisé d'intérêt stratégique national, des restrictions liées à la nationalité du candidat pourront être appliquées par le fonctionnaire de sécurité de défense (FSD).
 
Informations complémentaires
Contact :
Ekaterine Chikoidze
Tel : 01 39 25 50 25
Courriel :