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ALD pour les oxydes

Réacteur de Croissance Atomic Layer Deposition (ALD) et CVD pour les oxydes fonctionnels
(Annealsys MC-050 DLI-CVD/ALD)

Le GEMaC développe un réacteur de croissance ALD par injection liquide pour la croissance 2 pouces de couches d’oxydes fonctionnels.
Les oxydes visés actuellement sont les références :
 - SrTiO3 en tant que substrat perovskite
 - BiFeO3 en tant que multiferroïque
en croissance sur silicium, germanium

Spécifications techniques

MC-050 :
 - Capacité miltiprocess : DLI-CVD, DLI-ALD, MO-CVD, RTP et RT-CVD
 - Oxydants : H2O / O3 & (O2) CVD
 - Traitement de surface : ligne H2
 - Injection directe liquide (jusqu'à 6 vaporisateurs DLI) :
  • utilisation de précurseurs chimiques dilués (liquides ou solides)
  • utilisation de précurseurs avec une basse pression vapeur (solides)
  • atomisation et vaporisation flash (qqs ms)
  • sources à température ambiante
Chambre de process (réacteur à parois froide) :
 - Recuit thermique rapide (RTA) jusqu'à 1100°C
 - Chauffage avec une lampe halogène infrarouge
 - Atmosphère jusqu'à 1e-3 mbar

Cet équipement a été financé par les projets « AXION » (Flagship LabEx NanoSaclay IDEX ParisSaclay) et « OGRAAL » (DIM Oxymore – région IdF)
Annealsys MC-050 DLI-CVD/ALD
Annealsys MC-050
DLI-CVD/ALD



Schéma du réacteur