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MOCVD des semiconducteurs II-VI

Le GEMaC possède deux bâtis de croissance MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) dédiés à la croissance de structures à base de semi-conducteurs II/VI.
 

Bâti à réacteur horizontal (SAT)


Principales caractéristiques du bâti :
Sources :
    - Eléments II : Zn, Mg, Cd
    - Elements III : Ga
    - Eléments VI : N2O, O2, t-butanol
    - Dopage : Al, Ga, Sb, NH3

Gaz vecteur : He, H2, Ar, N2
Pression : 30 torr → P. atmosphérique
Température : chauffage RF → 1000°C
Taille des substrats : jusqu’à 2×2"

 

 
Bâti MOCVD SAT
 

 

Bâti à réacteur vertical


Principales caractéristiques du bâti :
Sources
    - Eléments II : Zn, Mg
    - Eléments VI : N2O, t-butanol, Se, Te, S
    - Dopage : Al, Ga
Gaz vecteur : He, H2, Ar, N2
Pression : atmosphérique
Température : chauffage RF → 1000°C
Taille des substrats 1 à 2 cm2

Bâti MOCVD vertical