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Plasma CVD du diamant
L'équipe diamant pour l'électronique dispose de 2 réacteurs pour la fabrication du diamant en couches minces. La méthode de croissance est l'épitaxie par voie chimique en phase vapeur (chemical vapor deposition CVD) assistée par plasma micro-ondes.
Vue de la salle grise et des réacteurs PLASSYS et MATERIA - Pièce de l'équipe DIAMANT
Réacteur 1
- Réacteur CVD assisté par plasma micro-ondes (MPCVD) de la société MATERIA
- Panneau de gaz INSTRUFLUID pour le dopage phosphore et arsenic
par voie organométallique (MOCVD) et la deutération
Spécifications :
- Gamme de températures : 450-1300 °C
- Pression : 10-100 mbar
- Vitesses de croissance : 0.01 à 4 µm/h
- Panneau de gaz INSTRUFLUID pour le dopage phosphore et arsenic
par voie organométallique (MOCVD) et la deutération
Spécifications :
- Gamme de températures : 450-1300 °C
- Pression : 10-100 mbar
- Vitesses de croissance : 0.01 à 4 µm/h
Réacteur 2
- Réacteur industriel PLASSYS BJS 150 CVD assisté par plasma micro-ondes (MPCVD)
- Dédié au dopage phosphore du diamant par voie organométallique (MOCVD)
Spécifications :
- Gamme de températures : 600-1100 °C
- Pression : 10-300 mbar
- Vitesses de croissance : > 5 µm/h
- Dédié au dopage phosphore du diamant par voie organométallique (MOCVD)
Spécifications :
- Gamme de températures : 600-1100 °C
- Pression : 10-300 mbar
- Vitesses de croissance : > 5 µm/h