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Traitements pré et post-croissance

Four de recuit haute température


Modèle : Elite Thermal Systems TSH16/50/180
Recuit jusqu’à 1600°C sous flux d’azote dédié au diamant semiconducteur.

Hydrogénation / Deutération par plasma capacitif RF 13.56 MHz


Pour semiconducteurs III-V, II-VI
Modèle : réacteur MECA2000
Conditions : 1 Torr, 25 - 500°C
Echantillon soit dans le plasma, soit en aval du plasma (remote)

Hydrogénation / Deutération par plasma micro-ondes 1.45 GHz


Pour le diamant
Modèle : réacteur Materia utilisé pour la croissance diamant
Conditions : 10-20 Torr, 450 - 1000°C