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Un matériau prometteur pour l’électronique de puissance et l’optoélectronique dans l’ultraviolet

Pour la première fois, des chercheurs sont parvenus à fabriquer des substrats de large diamètre du semi-conducteur ß-Ga2O3 aussi bien de type « n » que de type « p », permettant d’envisager le développement de composants à la fois pour l’électronique de puissance et l’optoélectronique dans l’ultraviolet lointain.

Vous pouvez retrouver cette information sur le site de l'INP.

Séminaires

Quantum networks based on spin-photon interface in quantum dots
19 juin 2018
Cavity Spintronics
22 mai 2018
1/2 Journée séminaires ILF
3 mai 2018
Oxide heterostructure with 10^5 % electroresistance at room temperature - Joseph Scola
11 avril 2018
Magnetic Materials Research at BC Materials - José Manuel Barandiaran
11 avril 2018
Optical and physical properties of AZO by MOCVD - Josef Gert Åsheim Ellingsen
27 mars 2018

Agenda

Quantum networks based on spin-photon interface in quantum dots
par Aymeric Delteil
Institute of Quantum Electronics, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland
19 juin 2018 à 14 heures
GEMaC, salle 4107, Bat. Fermat, 45 av. des Etats-Unis, Versailles