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L’hydrogène dans les semiconducteurs au cœur du prix Nobel 2014
12 octobre 2014Le prix Nobel de physique 2014 a été attribué aux pionniers du développement de l’éclairage blanc à base de diodes électroluminescentes p-n. Parmi les lauréats, le japonais H. Amano a été récompensé pour sa découverte en 1989 du dopage de type p de GaN - cristal semiconducteur avec lequel ces diodes sont fabriquées.
Thèses
- Etude par cathodoluminescence de la diffusion et du confinement des excitons dans des hétérostructures ZnO/ZnMgO et diamant 12C/13C par Georges Sakr
26 janvier 2015 - «Croissance et étude de films minces et d’hétérostructures d’oxydes pérovskites réalisés par dépôt laser pulsé» par Mickael Allain
17 novembre 2014
Séminaires
- La Fabrication par méthode additive
5 mars 2015
- High purity homoepitaxial diamond growth by chemical vapor deposition for high-performance electronic devices
23 février 2015 - Caractérisation et modélisation électro-thermique distribuée d'une puce IGBT - application aux effets du vieillissement de la métallisation d'émetteur
19 février 2015 - Quelques principes de la croissance MOCVD-2ème partie
3 février 2015 - Etude par cathodoluminescence de la diffusion et du confinement des excitons dans des hétérostructures ZnO/ZnMgO et diamant 12C/13C par Georges Sakr
26 janvier 2015
Offres Emplois/Thèses/Post Doc/Stages
- Understanding of physical properties at the interface of perovskites heterostructures
Proposition de post-doc (Durée: 12/15mois)
Labex CHARM3AT
Dernière mise à jour de cette page : 13 janvier 2015
